JHM1101宽电压供电解决方案

2022-08-09 18:18:03 37

JHM1101是一款拥有高可靠特性的传感器信号调理芯片,内部集成了放大功能、数字补偿算法、14位ADC和12位DAC,并已通过AEC-Q100 Grade0 认证,符合汽车、工业及诸多消费级产品的应用要求。

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在应对一些宽电压(5.5~32V)供电要求时,我们采用N沟道的JFET管来配合JHM1101。请注意,选择管子时,必须使用耗尽型的,不能使用增强型的。JFET只能在耗尽模式下工作,而MOSFET是可以在耗尽模式和增强模式下工作的。


为什么要选择耗尽型的管子呢?因为原理上,这种N沟道结型场效应管正常工作时,在漏源之间加正向电压Uds,形成漏极电流Id;Ugs<0,耗尽层承受反向电压,既保证栅源之间内阻很高,又实现Ugs对沟道电流的控制。当Ugd<Ugs(off),夹断区加长,此时一方面自由电子从漏极向源极定向移动所受阻力加大,从而导致Id减小;另一方面,随着Uds的增大,使ds间的纵向电场增强,导致Id增大。两种趋势相互抵消,Id表现出恒流特性。


JHM1101在使用JFET稳压时,需要在芯片VDD端加上6V的TVS管或ESD管进一步保护VDD电压,其稳压电路如下图所示:

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在使用中选择JFET稳压,可以通过设置芯片内部的寄存器,实现4.8V、5V、5.5V的不同稳定电压值,方便客户根据不同的要求实现0到4.8V,0到5V,0到5.5V的绝对电压的输出需求。


耗尽型管选型推荐 

耗尽型的管子选型时,要求Vgs必须在-4~-0.5V间,推荐使用以下两款:

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1、BSS169

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2、MMBF4393

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  • 汽车应用

通常在汽车应用方面,推荐使用BSS169,这是一款已经通过汽车半导体分立器件AEC-Q101认证的产品。


  • 工业及消费类应用

在工业及消费类应用方面,通常可使用MMBF4393,当然也可以使用5V的LDO来解决宽电压的问题,推荐GM6155-5.0ST25RG,MIC5233-5.0YM5,78L05S,ME6203A50M3G等器件。


北京久好电子科技有限公司

致力于数模混合集成电路设计,多款传感器芯片产品具备高稳定性、高可靠性、高性价比等特点,助力客户实现成功。


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